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INN650D190A 是一款先進(jìn)的650V額定電壓硅基氮化鎵（GaN-on-Si）增強(qiáng)型功率晶體管，采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的緊湊型DFN 8mm x 8mm 表面貼裝封裝。作為一款增強(qiáng)型器件，它具有常閉型（normally-off）特性，簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)并提升了系統(tǒng)安全性。

這款GaN晶體管的核心優(yōu)勢(shì)在于其卓越的開關(guān)性能。它能夠支持極高的開關(guān)頻率，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅基MOSFET，這使得設(shè)計(jì)師可以采用更小的電感和電容，從而顯著提升功率密度并縮小產(chǎn)品體積。得益于GaN技術(shù)的物理特性，該器件具有零反向恢復(fù)電荷（Qrr=0），大幅降低了開關(guān)損耗，尤其在硬開關(guān)應(yīng)用中效率優(yōu)勢(shì)明顯。此外，其低柵極電荷（Qg）和低輸出電荷（Qoss）特性進(jìn)一步減少了驅(qū)動(dòng)損耗和開關(guān)時(shí)間，有助于實(shí)現(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率。

INN650D190A 經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)應(yīng)用資格認(rèn)證，并內(nèi)置ESD保護(hù)，確保了在各種應(yīng)用環(huán)境下的可靠性。同時(shí)，該產(chǎn)品完全符合RoHS、無(wú)鉛（Pb-free）及REACH等環(huán)保法規(guī)要求。

憑借這些優(yōu)異特性，INN650D190A 廣泛適用于需要高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景，包括DCM/BCM模式的功率因數(shù)校正（PFC）、AHB/LLC/QR反激/ACF等拓?fù)涞腄C-DC轉(zhuǎn)換器、高效LED驅(qū)動(dòng)、快速充電器、筆記本電腦及一體機(jī)（AIO）適配器，以及臺(tái)式電腦ATX電源、電視電源和電動(dòng)工具電源等。

INN650D190A_Datasheet_V1.0.pdf